Сканирующая электронная микроскопия

      Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) является одним из наиболее широко используемых для диагностики наноматериалов и наноструктур методов. Предел разрешения сканирующего электронного микроскопа приближается к нескольким нанометрам, а увеличение легко варьируется от ~10 нм до 300000 нм. СЭМ не только предоставляет сведения о топографии поверхности, как обычные оптические микроскопы, но и обеспечивает информацией о химическом составе приповерхностной области. В сканирующем электронном микроскопе пучок электронов с энергией в диапазоне от нескольких сотен эВ до 50 кэВ фокусируется на поверхности образца в очень маленькое пятно диаметром примерно 5 нм, которое сканирует поверхность с помощью системы отклоняющих катушек. Когда электроны сталкиваются с поверхностью и проникают в нее, происходит ряд взаимодействий, которые приводят к эмиссии электронов и фотонов из образца, и при попадании эмитированных электронов в катодно-лучевую трубку в ней формируются СЭМ- изображения.

    Все представленные изображения получены сотрудниками образовательно-научного института наноструктур и биосистем Саратовского государственного университета на СЭМ MIRA II TESCAN.  Художественную обработку изображений выполнили студенты механико-математического факультета СГУ  Эрик Шевченко, Богдан Савинов, Владимир Данко, Анастасия Моргунова, Светлана Сысуева.