Повышение квалификации:

• 2011: Методы и технологии управления вузом в условиях модернизации высшего профессионального образования Россия. г. Санкт-Петербург.
• 2016: Использование электронной информационно-образовательной среды и информационно-коммуникационных технологий в образовательном процессе СГУ Россия. Саратов.
• 2019: Противодействие коррупции Россия. Саратов.
• 2022: Современные образовательные технологии в профессиональном образовании Россия. Саратов.
• 2025: Работа с приложениями Microsoft office Россия. Саратов.

Диссертации и учёные степени:

• 1982: Кандидат технических наук. Спецтема.
• 2000: Доктор физико-математических наук. Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах. 01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков».

Учёное звание:

• 1987: Доцент по кафедре физики полупроводников. ВАК при Совете Министров СССР.
• 2008: Профессор по кафедре физики полупроводников. Федеральная служба по надзору в сфере образования и науки РФ.

• Стаж работы по специальности: 48 лет

• Год начала работы в СГУ: 1978
• Стаж работы по специальности: 48 лет

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского:

• 2022 - наст.вр.: профессор, кафедра физики твердого тела
• 2010 - 2021: заведующий кафедрой, кафедра физики полупроводников
• 2001 - 2022: профессор, кафедра физики полупроводников
• 1985 - 2001: доцент, кафедра физики полупроводников
• 1981 - 1985: ассистент, кафедра физики полупроводников
• 1979 - 1981: ассистент, кафедра физики твердого тела
• 1978 - 1979: старший лаборант, кафедра физики твердого тела

• 1977
  • • К вопросу о проектировании двухкаскадного полупроводникового параметрического усилителя миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки / Ю.Д. Биленко, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Физические основы радиоэлектроники и полупроводников: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во СГПИ, 1977. - Вып. 2. - С. 54-60.
• 1978
  • • Климов Б.Н., Иванченко В.А., Михайлов А.И. Частотная зависимость эффективной температуры в n-InSb, n-GaAs и p-Ge // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 1. - С. 204-206.
• • • Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление высокочастотных волн в полупроводниках с ОДП // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 3. - С. 601-603.
• 1979
  • • Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие высокочастотных волн в n-GaAs // ФТП. - 1979. - Т. 13, вып. 6. - С. 1172-1174.
• 1980
  • • Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в диоде Ганна // ФТП. - 1980. - Т. 14, вып. 6. - С. 1238-1240.
• 1981
  • • Параметрическое усиление СВЧ-колебаний в стабилизированном сверхкритическом диоде Ганна / А.А. Бушков, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 7 (331). - С. 49-50.
• • • Михайлов А.И. Динамические параметры варакторных диодов с барьером Шоттки с малым значением высоты потенциального барьера // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 6 (330). - С. 28-30.
• • • Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление комбинационных частот в арсениде галлия при взаимодействии слабой волны с волной накачки // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1981. - Вып. 9. - С. 75-80.
• 1982
  • • Модуляция диэлектрической проницаемости полупроводника сильным СВЧ-полем / А.А. Бушков, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1982. - Т. 25, № 10. - С. 95-97. – ISSN 0021-3470.
• 1988
  • • Параметрические колебания в генераторах Ганна / В.А. Двинских, В.А. Иванченко, Ю.М. Игнатьев, А.И. Михайлов // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Физические свойства полупроводников и структур на их основе: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1988. - Вып. 13. - С. 47-52. – ISBN 5-292-00048-5.
• 1989
  • • Михайлов А.И. Твердотельные параметрические приборы сверхвысоких частот: Учебн. пособие. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. - 155 с. (Усл. печ. л. 9,75). – ISBN 5-292-00262-3.
• 1990
  • • Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. Параметрическое усиление волн пространственного заряда в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1990. - Т. 33, № 10. - С. 76-78. – ISSN 0021-3470.
• 1992
  • • Михайлов А.И., Панфилов В.Б. Влияние пpофиля легиpования активной облаcти диода Ганна на фоpму тока и амплитуды его гаpмоничеcких cоcтавляющих // Изв. ВУЗов. Радиоэлектpоника. - 1992. - Т. 35, № 1. - С. 76-80. – ISSN 0021-3470.
• 1995
  • • Михайлов А.И. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия // Письма в ЖТФ. - 1995. - Т. 21, вып. 21. - С. 89-95. – ISSN 0320-0116.
• • • Михайлов А.И., Cеpгеев C.А. Параметричеcкое взаимодейcтвие волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых cтруктурах c отрицательной дифференциальной проводимоcтью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1995. - Т. 38, № 10. - С. 43-51. – ISSN 0021-3470.
• 1996
  • • Михайлов А.И. О транзисторах // Физика в школе. - 1996. - № 4. - С. 16. – ISSN 0130-5522.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Преобразование частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Письма в ЖТФ. - 1996. - Т. 22, вып. 24. - С. 75-78. – ISSN 0320-0116.
• 1998
  • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1998. - Вып. 4. - С. 75-76. – ISBN 5-292-02284-5.
• • • Михайлов А.И., Лернер Д.М. Связь динамики домена с формой прикатодной "зарубки" диода Ганна // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24, вып. 21. - С. 16-22. – ISSN 0320-0116.
• 1999
  • • Фильтрация сигналов в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, А.А. Горячев, И.В. Митин // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 3 (24). - С. 101-102.
• • • Михайлов А.И., Двинских В.А., Лернер Д.М. Связь коаксиальных резонаторов через кольцевую полупроводниковую структуру // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 176.
• • • Михайлов А.И., Лернер Д.М. Теоретическое и экспериментальное исследование влияния напряжения питания на основную частоту колебаний генераторов Ганна в пролетном режиме // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 143.
• • • Михайлов А.И., Лернер Д.М. Сравнительный анализ динамики зарядов в структурах диодов Ганна на n-GaAs и n-InP // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 99.
• • • Барыбин А.А., Михайлов А.И., Клецов А.А. Коэффициенты связи волн пространственного заряда при их параметрическом взаимодействии в тонкопленочных структурах арсенида галлия // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 88.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25, вып. 4. - С. 85-90. – ISSN 0320-0116.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки // ЖТФ. - 1999. - Т. 69, вып. 1. - С. 128-130. – ISSN 0044-4642.
• • • Михайлов А.И. Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1999. - Т. 42, № 10. - С. 46-50. – ISSN 0021-3470.
• • • Михайлов А.И. О понятии "моль" и постоянной Авогадро // Физика в школе. - 1999. - № 5. - С. 69-70. – ISSN 0130-5522.
• 2000
  • • Барыбин А.А., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ. - 2000. - Т. 70, вып. 2. - С. 48-52. – ISSN 0044-4642.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А., Горячев А.А. Интегрированный преобразователь частоты миллиметрового диапазона длин волн на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2000. - Т. 43, № 2. - С. 16-24. – ISSN 0021-3470.
• • • Михайлов А.И. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 5. - С. 80-85. – ISSN 0320-0116.
• • • Михайлов А.И. Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах: Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: Специальности 01.04.03 - "Радиофизика" и 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков". - Защищена 09.06.2000.; Утв. 10.11.2000; Диплом ДК № 005514. - Саратов, 2000. - 364 с.: ил. - Библиогр.: С. 320-349.
• • • Михайлов А.И., Лернер Д.М., Разумихин К.А. Исследование влияния рабочего напряжения на пролетную частоту генератора Ганна // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2000. - Вып. 6. - С. 75-77. - ISSN 0868-6238.
• 2001
  • • Михайлов А.И., Науменко Г.Ю., Макарова М.Ф. Лицей “Полупроводниковая электроника” // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - C. 168-178. - ISBN 5-94409-005-7.
• • • Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе n-GaAs // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - C. 69-82. - ISBN 5-94409-005-7.
• • • Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Б.Н. Климов, А.И. Михайлов, А.Г. Роках и др. / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - 188 с. – ISBN 5-94409-005-7. – (11,75 п.л.).
• • • Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Диодный коаксиально-волноводный генератор трехмиллиметрового диапазона // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2001. - Вып. 7. - С. 21-22. – ISSN 0868-6238.
• • • Михайлов А.И. Методика разъяснения понятия “моль” и постоянной Авогадро // Преподавание дисциплин естественного цикла в вузе и школе. Преемственность и традиции: Сб. науч. ст. - Саратов: ООО “Исток - С”, 2001. - С. 37-40. – ISBN 5 – 901255 - 02 X.
• 2002
  • • Двинских В.А., Михайлов А.И., Лернер Д.М., Разумихин К.А. Коаксиальный генератор второй гармоники с кольцевой полупроводниковой структурой диода Ганна // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2002. - Т. 5, № 1. - С. 33-35. – ISSN 1810-3189.
• • • Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Оценка влияния полупроводниковой структуры диода Ганна на параметры резонансной системы генератора КВЧ-диапазона // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2002. - Т. 5, № 1. - С. 54-56. – ISSN 1810-3189.
• • • Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Эквивалентная схема цилиндрического резонатора // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. - Вып. 8. - С. 21. - ISSN 0868-6238.
• • • Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Эквивалентная схема четвертьволнового коаксиального резонатора с нагружающей емкостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. - Вып. 8. - С. 17. - ISSN 0868-6238.
• 2003
  • • Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия // ЖТФ. - 2003. - Т. 73, вып. 6. - С. 103-109. – ISSN 0044-4642.
• • • Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Диодный коаксиально-волноводный генератор третьей гармоники колебаний // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2003. - Т. 46, № 8. - С. 64-68. – ISSN 0021-3470.
• 2004
  • • Михайлов А.И., Разумихин К.А. Двухтемпературная модель междолинных переходов в n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2004. - Вып. 10. - С. 71-72. - ISSN 0868-6238.
• 2006
  • • Михайлов А.И., Разумихин К.А. Исследование динамики электронов в полупроводниковых структурах диодов Ганна на основе двухтемпературной модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2006. - Т. 9, № 2. - С. 74-78. - ISSN 1810-3189.
• • • Влияние микроволнового излучения на полимерные микрокапсулы с неорганическими наночастицами / Д.А. Горин, Д.Г. Щукин, А.И. Михайлов, К. Кёлер, С.А. Сергеев, С.А. Портнов, И.В. Таранов, В.В. Кислов, Г.Б. Сухоруков // Письма в ЖТФ. – 2006. – Т. 32, вып. 2. – С. 45-50. – ISSN 0320-0116.
• • • Михайлов А.И., Митин А.В. Система уравнений локально-полевой модели динамики зарядов и тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. - Вып. 13. - С. 74-78. - ISSN 0868-6238.
• 2007
  • • Investigation of absorbtion and reflection spectra of aqueous suspensions of nanoparticles in X band of microwave bandwidth / S.A. Sergeev, S.A. Portnov, D.A. Gorin, A.I. Mikhailov, S.S. Rumyantseva, I.V. Taranov, V.V. Kislov, G.B. Sukhorukov // Saratov Fall Meeting 2006: Nanostructures and nanoparticles: fabrication, properties and application / Ed. by D.A. Zimnyakov, N.G. Khlebtsov. Proc. SPIE; Vol. 6536, P. 42-50. (Proc. SPIE 6536, 653606 (2007); doi:10.1117/12.753431)
• • • Молекулярная электроника и технология / Б.Н. Климов, А.И. Михайлов, Е.Г. Глуховской, Д.А. Горин, А.А. Невешкин, С.А. Портнов // Нанотехника. – 2007. - № 1(9). С. 20-26. – ISSN 1816-4498.
• • • Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, № 2. - С. 49-56. - ISSN 1810-3189.
• • • Михайлов А.И., Разумихин К.А. Резонансная система коаксиально-волноводного генератора второй гармоники на диодах Ганна КВЧ-диапазона // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, № 2. - С. 57-64. - ISSN 1810-3189.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники: Учебное пособие для студ. фак. нано- и биомедицинских технологий. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2007. – 164 с., ил. - ISBN 978-5-292-03712-5. – Усл. печ. л. 9,53 (10,25). Уч.-изд. л. 9,2.
• 2008
  • • Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2008. - Т. 11, № 1. - С. 100-108. - ISSN 1810-3189.
• • • Mikhailov A.I., Glukhovskoi E.G. A Procedure for Studying the Sorption Vapor with a Monomolecular Langmuir-Blodgett Arachic Acid Film // Russian Journal of Physical Chemistry A. – 2008. – Vol. 82, № 7. – P. 1234-1238. - ISSN 0036-0244.
• • • Михайлов А.И., Глуховской Е.Г. Методика исследования сорбции паров этанола мономолекулярной пленкой Ленгмюра-Блоджетт арахиновой кислоты // Журнал физической химии. – 2008. – Т. 82, № 7. – С. 1-5. - ISSN 0044-4537.
• 2009
  • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. - Вып. 16. - С. 38-39. – ISSN 0868-6238.
• 2010
  • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Граничная частота усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 1. - С. 33-37. - ISSN 1810-3189.
• • • Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 1. - С. 73-81. - ISSN 1810-3189.
• • • Сергеев С.А., Михайлов А.И., Сергеева Б.В. Эффективность спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // В мире научных открытий. – 2010. - № 4 (10). – Часть 6. – С. 49-52. - ISSN 2072-0831.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 2. - С. 102-107. - ISSN 1810-3189.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 4. - С. 70-74. - ISSN 1810-3189.
• 2011
  • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Возбуждение волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью полосковым барьером Шоттки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2011. - Т. 14, № 1. - С. 45-50. - ISSN 1810-3189.
• • • Михайлов А.И., Митин А.В. Экспериментальное исследование спектра колебаний тока в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах арсенида галлия в условиях засветки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2011. - Т. 14, № 4. - С. 87-91. - ISSN 1810-3189.
• 2013
  • • Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей / А.И. Михайлов, А.Г. Роках, С.А. Сергеев и др. / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Издательский центр «Наука», 2013. – 304 с. - ISBN 978-5-9999-1719-5.
• • • Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Оптимизация алгоритма математической модели установления распределения заряда и электрического поля в многослойной полупроводниковой структуре с металлическими контактами // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. Физика. – 2013, № 4 (28). – С. 133-146. - ISSN 2072-3040.
• 2014
  • • Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2014. - Т. 17, № 4. - С. 64-69. - ISSN 1810-3189.
• 2015
  • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D. Peculiarities of Field Electron Emission from Submicron Protrusions on a Rough InSb Surface // Technical Physics Letters. – 2015. – Vol. 41, No. 6. – P. 568-570. – ISSN 1063-7850.
• • • Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 12. – С. 8-14. – ISSN 0320-0116.
• • • Alexandr I. Mikhailov, Anton V. Mitin, Ilya O. Kozhevnikov. Peculiarities of stable oscillations of high amplitude current occuring in long high-impedance planar-epitaxial gallium-arsenide-based structures // Radioelectronics and communications systems. – 2015. – Vol. 58, № 4. – P. 187-190. – ISSN 1810-3189.
• • • Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 4. – С. 59-64. – ISSN 1810-3189.
• • • Кожевников И.О., Михайлов А.И., Браташов Д.Н. Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. – 2015. Том 15, вып. 1. – С. 51-56. – ISSN 1814-733X. - ISSN 1817-3020.
• • • Идентификация нуклеотидов путем измерения тока через них при протягивании ДНК через нанопору / А.А. Клецов, К.И. Косолапова, А.С. Чумаков, В.А. Глухова, А.И. Михайлов, Е.Г. Глуховской // Известия Академии наук. Серия химическая. - 2015, № 10. – С. 2325-2329. - ISSN 0002-3353.
• • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D. Manifestation of Size Quantization on Protrusions on a Rough A3B5 Semiconductor Surface // Technical Physics Letters. – 2015. – Vol. 41, No. 11. – P. 1065-1067. – ISSN 1063-7850.
• • • Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A3B5 // Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 21. – С. 88-94. – ISSN 0320-0116.
• 2016
  • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gorbachev I.A., Glukhovskoi E.G. A study of specific features of the electronic spectrum of quantum dots in CdSe semiconductor // Technical Physics Letters, 42(8), 796-798). http://link.springer.com/article/10.1134/S1063785016080137. Technical Physics Letters August 2016, Volume 42, Issue 8, pp 796–798
• • • Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И А., Глуховской Е.Г. Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe // Письма в ЖТФ. – 2016. – Т. 42, вып. 15. – С. 51-58. – ISSN 0320-0116.
• 2017
  • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D., Glukhovskoy E.G. Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2017, 8 (5), P. 596–599. ISSN 2220-8054 (Print version). ISSN 2305-7971 (Online version). PACS 73.22.f, 73.21.La. DOI 10.17586/2220-8054-2017-8-5-596-599.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники и наноэлектроники. Планы семинарских занятий. – Germany. Saarbrücken: Издательский Дом: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2017. – 228 с. ISBN: 978-3-659-88082-7.
• • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gorbachev I.A., Kazak A.V., Usol’tseva N.V., Glukhovskoy E.G. Electronic Properties of A2B6 Quantum Dots Incorporated into Langmuir–Blodgett Films // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2017, Vol. 81, No. 12, pp. 1472–1475.; doi: 10.3103/S1062873817120231. ISSN 1066-5285 (печатная версия). ISSN 1573-9171 (онлайновая версия).
• • • Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Казак А.В., Усольцева Н.В., Глуховской Е.Г. Особенности электронных свойств квантовых точек состава А2B6 в пленках Ленгмюра-Блоджетт // Известия Академия наук. Серия физическая, 2017, 81 (12). С. 1668-1671. ISSN 0002-3353 (печатная версия).
• 2018
  • • Peculiarities of the Properties of III–V Semiconductors in a Multigrain Structure / N.D. Zhukov, V.F. Kabanov, A.I. Mihaylov, D.S. Mosiyash, Ya.E. Pereverzev, A.A. Hazanov and M.I. Shishkin // Semiconductors. 2018. Vol. 52, Is. 1. P. 78-83. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).
• • • Жуков Н.Д., Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Мосияш Д.С., Хазанов А.А., Шишкин М.И. Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре // ФТП. 2018. Т. 52, вып. 1. С. 83-88. ISSN 0015-3222.
• • • Study of the Properties of II–VI and III–V Semiconductor Quantum Dots / A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, I.A. Gorbachev and E.G. Glukhovsky // Semiconductors. 2018. Vol. 52, Is. 6. P. 750-754. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).
• • • Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Глуховской Е.Г. Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV // ФТП. 2018. Т. 52, вып. 6. С. 603-607. ISSN 0015-3222.
• • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Glukhovskoy E.G., Shishkin M.I., Gavrikov M.V. Methodology of analyzing the A2B6 semiconductor quantum dots parameters // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2018, 9 (4), P. 464–467; doi: 10.17586/2220-8054-2018-9-4-464-467.
• 2019
  • • Zhukov N.D., Mikhailov A.I., Mosiyash D.S. Mechanism and Features of Field Emission in Semiconductors // Semiconductors. 2019. Vol. 53, Is. 3. P. 340-344. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).
• • • Жуков Н.Д., Михайлов А.И., Мосияш Д.С. О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках // ФТП. 2019. Т. 53, вып. 3. С. 340-344. ISSN 0015-3222.
• • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gavrikov M.V. Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS. 2019. 10 (6). P. 720-724. DOI 10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724.
• • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gavrikov M.V. Investigation of indium antimonide nanoparticles, obtained by the method of liquid chemical etching // Journal of Physics: Conference Series. 1410 (2019). P. 1-4. 012048. doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012048.
• 2020
  • • Mikhailov A.I., Kabanov V.F. Gavrikov M.V. Study of the Electrophysical Properties of Colloidal Indium Antimonide Quantum Dots // Technical Physics Letters. – 2020. - Vol. 46, No. 4. - P. 339–341. ISSN 1063-7850. DOI: 10.1134/S1063785020040100.
• • • Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Гавриков М.В. Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2020. – Т. 46, вып. 7. – С. 36-38. – ISSN 0320-0116. DOI: 10.21883/PJTF.2020.07.49218.18145.
• • • Gavrikov Maksim Vladimirovich, Kabanov Vladimir Fedorovich, Mikhailov Aleksandr Ivanovich. Features of the Conduction Mechanism through an Indium Antimonide Quantum Dot in the Analysis of Tunneling Current-Voltage Characteristics // Nano Hybrids and Composites. 2020. Vol. 28. P. 130-135. ISSN: 2297-3400. doi:10.4028/www.scientific.net/NHC.28.130. © 2020 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland.
• • • Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники: Учеб. пособие для студ. фак. нано- и биомедицинских технологий. – 2-е изд., с изм. – Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2020. – 192 с. : ил. ISBN 978-5-292-04672-1 (print) ISBN 978-5-292-04673-8 (online)
• 2021
  • • Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Гавриков М.В. Исследование электрофизических свойств квантовых точек антимонида индия: значение формы // ФТП. 2021. Т. 55, вып. 3. С. 237-240. ISSN 0015-3222. DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50601.9471.
• • • Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Гавриков М.В. Термоавтоэлектронная эмиссия из квантовых точек антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2021. – Т. 47, вып. 8. – С. 44-46. – ISSN 0320-0116. DOI: 10.21883/PJTF.2021.08.50854.18662.
• • • Kabanov V.F., Mikhailov A.I., Gavrikov M.V. Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS, 2021, 12 (1), P. 113–117. DOI 10.17586/2220-8054-2021-12-1-113-117.
• • • V. F. Kabanov. A. I. Mikhailov, and M. V. Gavrikov. Thermionic Emission from Indium Antimonide Quantum Dots // Technical Physics Letters, 2021. - PP. 1-3. .DOI: 10.1134/S1063785021040209 ISSN PRINT: 1063-7850
• • • Kabanov V.F., Mikhailov A.I., Gavrikov M.V. Shape Effect on the Electrical Properties of Indium-Antimonide Quantum Dots // Semiconductors. 2021. Vol. 55, Is. 3. P. 315-318. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version). DOI https://doi.org/10.1134/S1063782621030106
• 2022
  • • Михайлов А.И. Кафедре физики полупроводников 40 лет // Физика полупроводников и твердотельная электроника: Сборник статей / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Изд-во «Амирит», 2022. – С. 6-38. – ISBN 978-5-00140-941-0.
• • • Физика полупроводников и твердотельная электроника: Сборник статей / А.И. Михайлов, А.Г. Роках, С.Б. Вениг и др. / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Изд-во «Амирит», 2022. – 244 с. – ISBN 978-5-00140-941-0.
• • • Electro-physical properties of GaAs nanoscopic clusters / Aleksey A. Kletsov, Alexander I. Mikhailov, Evgeny G. Glukhovskoy, Anton V. Kalmykov // Chemical Physics Impact. Volume 4, June 2022, 100069. DOI 10.1016/j.chphi.2022.100069. - II S2667-0224(22)00008-1
• • • Kabanov, V. F. Investigation of the features of electronic spectrum of quantum dots in narrow-gap semiconductors / V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov // Technical Physics Letters. – 2022. – Vol. 48, No. 8. – P. 47. – DOI 10.21883/tpl.2022.08.55061.19220. – EDN LSWVSA.
• • • Kabanov, V. F. Analysis of Specific Features of the QD Electronic Spectrum for Narrow-Gap Semiconductors / V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov // Technical Physics Letters. – 2022. – Vol. 48, No. 4. – P. 201-203. – DOI 10.1134/s1063785022070033. – EDN PPLBSE.
• • • Михайлов, А. И. Оценка возможностей 3D-печати для изготовления волноводных фотонных кристаллов / А. И. Михайлов, Е. А. Рябов, С. А. Сергеев // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2022. – Т. 25, № 3. – С. 29-35. – DOI 10.18469/1810-3189.2022.25.3.29-35. – EDN HQZDNT.
• • • Кабанов, В. Ф. Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек узкозонных полупроводников / В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков // Письма в Журнал технической физики. – 2022. – Т. 48, № 16. – С. 10-13. – DOI 10.21883/PJTF.2022.16.53199.19220. – EDN HCXWMC.
• • • Электрофизические свойства мезоскопических нанокластеров арсенида галлия / А. И. Михайлов, А. А. Клецов, Е. Г. Глуховской, А. В. Калмыков // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами : Сборник статей девятой Всероссийской научной школы-семинара, Саратов, 24 мая 2022 года / Под редакцией Ал.В. Скрипаля. – Саратов: Издательство "Саратовский источник", 2022. – С. 95-100. – EDN PHMKSV.
• • • Кабанов, В. Ф. Особенности энергетического спектра квантовых точек антимонида индия / В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов // Физика полупроводников и твердотельная электроника : Сборник статей. – Саратов : Общество с ограниченной ответственностью "Амирит", 2022. – С. 94-100. – EDN RFPMCY.
• • • Ветринцев, М. В. Анализ электронного спектра полупроводниковых квантовых точек / М. В. Ветринцев, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами : Сборник статей девятой Всероссийской научной школы-семинара, Саратов, 24 мая 2022 года / Под редакцией Ал.В. Скрипаля. – Саратов: Издательство "Саратовский источник", 2022. – С. 48-51. – EDN FAARUA.
• • • Михайлов, А. И. Неустойчивости тока в полуизолирующем арсениде галлия: математическое моделирование, эксперимент, функциональные возможности / А. И. Михайлов, А. В. Митин, И. О. Кожевников // Физика полупроводников и твердотельная электроника : Сборник статей. – Саратов : Общество с ограниченной ответственностью "Амирит", 2022. – С. 42-76. – EDN HTXMQH.
• • • Кожевников, И. О. Формирование полупроводниковых планарных мезаструктур высокоомного арсенида галлия методом лазерной абляции / И. О. Кожевников, А. В. Стародубов, А. И. Михайлов // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами : Сборник статей девятой Всероссийской научной школы-семинара, Саратов, 24 мая 2022 года / Под редакцией Ал.В. Скрипаля. – Саратов: Издательство "Саратовский источник", 2022. – С. 158-161. – EDN CBJUUT.
• • • Кабанов, В. Ф. Исследование электрофизических свойств полупроводниковых квантовых точек материалов групп А3В5 и А2В6 / В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков // Физика полупроводников и твердотельная электроника : Сборник статей. – Саратов : Общество с ограниченной ответственностью "Амирит", 2022. – С. 120-162. – EDN HMJOCT.
• • • Михайлов, А. И. Определение перспектив использования полупроводников A3B5 и A2B6 для устройств на волнах пространственного заряда / А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Б. В. Сергеева // Физика полупроводников и твердотельная электроника : Сборник статей. – Саратов : Общество с ограниченной ответственностью "Амирит", 2022. – С. 101-119. – EDN CRCLNZ.
• 2023
  • • Михайлов, А. И. Моя жизнь в саратовском университете / А. И. Михайлов // Очерки истории физико-математического образования в Саратовском университете. Том Выпуск 5. – Саратов : Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 2023. – С. 187-204. – EDN KUQKIS.
• • • Михайлов, А. И. Кафедра физики полупроводников СГУ: события и люди / А. И. Михайлов // Очерки истории физико-математического образования в Саратовском университете. Том Выпуск 5. – Саратов : Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 2023. – С. 156-186. – EDN IWJSNI.
• • • Михайлов, А. И. Влияние зависимости времени жизни от концентрации неравновесных дырок на особенности эффекта Ганна в структурах полуизолирующего арсенида галлия при локализованном оптическом воздействии / А. И. Михайлов, А. В. Митин // Электроника и микроэлектроника СВЧ. – 2023. – Т. 1. – С. 112-116. – EDN EBPFUZ.
• • • Особенности токопереноса в системе зонд туннельного микроскопа - туннельный зазор - слой квантовых точек полупроводников групп А3В5 и А2В6 при освещении / В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков, Я. Н. Бирюков // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами : Сборник статей десятой Всероссийской научной школы-семинара, Саратов, 25 мая 2023 года / Под редакцией Ал.В. Скрипаля. – Саратов: Издательство "Саратовский источник", 2023. – С. 93-97. – EDN AXKXQS.
• • • Михайлов, А. И. Особенности рекомбинационной неустойчивости в структурах высокоомного арсенида галлия с учетом зависимости времени жизни от концентрации неравновесных дырок в условиях локализованного освещения / А. И. Михайлов, А. В. Митин // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами : Сборник статей десятой Всероссийской научной школы-семинара, Саратов, 25 мая 2023 года / Под редакцией Ал.В. Скрипаля. – Саратов: Издательство "Саратовский источник", 2023. – С. 65-70. – EDN HKDUXC.
• • • Шпак, Н. В. Влияние ширины области локализованного оптического воздействия на особенности ганновской неустойчивости тока в структурах полуизолируюшего арсенида галлия / Н. В. Шпак, А. В. Митин, А. И. Михайлов // Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : Сборник трудов XVIII Всероссийской конференции молодых ученых, Саратов, 12–13 сентября 2023 года. – Саратов: Техно-декор, 2023. – С. 115-116. – EDN ZPYYIG.
• • • Влияние времени жизни неравновесных носителей заряда на особенности ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в структурах полуизолирующего арсенида галлия / Р. А. Щипцов, Д. В. Курочкин, А. В. Митин, А. И. Михайлов // Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : Сборник трудов XVIII Всероссийской конференции молодых ученых, Саратов, 12–13 сентября 2023 года. – Саратов: Техно-декор, 2023. – С. 113-114. – EDN TEOIMQ.
• • • Михайлов, А. И. Квантовые точки полупроводников А3В5 и А2В6: физика, получение, методология и результаты исследования / А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, М. В. Гавриков. – Саратов : Издательство "Саратовский источник", 2023. – 121 с. – ISBN 978-5-6049734-9-3. – EDN PIGFTX.
• 2024
  • • Erratum to Electro-physical properties of GaAs nanoscopic clusters [Chemical Physics Impact(2022) 4/100069] / A. A. Kletsov, A. I. Mikhailov, E. G. Glukhovskoy, A. V. Kalmykov // Chemical Physics Impact. – 2024. – Vol. 8. – P. 100635. – DOI 10.1016/j.chphi.2024.100635. – EDN XJTRAN.
• • • Михайлов, А. И. Исследование возможности реализации среднечастотного широкополосного генератора качающейся частоты на структуре полуизолирующего арсенида галлия / А. И. Михайлов, И. О. Кожевников, А. В. Митин // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. – 2024. – Т. 24, № 4. – С. 412-417. – DOI 10.18500/1817-3020-2024-24-4-412-417. – EDN MHXTBZ.
• 2025
  • • Управление амплитудно-частотной характеристикой узкополосного фильтра для X-диапазона частот на основе фотонного кристалла с подвижным цилиндрическим дефектом / Е. А. Рябов, А. А. Андреев, С. А. Сергеев, А. И. Михайлов // Российский технологический журнал. – 2025. – Т. 13, № 3. – С. 84-91. – DOI 10.32362/2500-316X-2025-13-3-84-91. – EDN NHBOSK.
• • • Кабанов, В. Ф. Токоперенос в системе зонд туннельного микроскопа-туннельный зазор-слой квантовых точек полупроводников соединений А3B5 и A2B6 при освещении / В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков // Журнал технической физики. – 2025. – Т. 95, № 5. – С. 961-966. – EDN YKBXRL.
• • • Исследование АЧХ управляемого полосно-пропускающего фильтра на основе периодической структуры с подвижной пластиной в X-диапазоне частот / С. В. Середич, А. А. Андреев, В. И. Гукова, И. С. Великанов // Перспективные материалы и высокоэффективные процессы обработки : Сборник научных трудов по материалам IV Всероссийской молодежной конференции, Саратов, 21–22 мая 2025 года. – Саратов: Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., 2025. – С. 151-155. – EDN LJGOXU.
• 2026
  • • Михайлов, А. И. Неустойчивости пространственного заряда и тока в структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия / А. И. Михайлов, А. В. Митин // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. – 2026. – Т. 26, № 2. – С. 185-209. – DOI 10.18500/1817-3020-2026-26-2-185-209. – EDN THDIXH.
• • • Митин, А. В. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомном арсениде галлия при учете зависимости времени жизни носителей заряда от их избыточной концентрации / А. В. Митин, А. И. Михайлов // Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами : Сборник статей тринадцатой Всероссийской научной школы-семинара , Саратов, 15 мая 2026 года. – Саратов: Издательство "Саратовский источник", 2026. – С. 99-103. – EDN OMTZJW.

Общее количество патентов и свидетельств: 11

• 1982
  • Авторское свидетельство 1154730 СССР, МКИ H 03 F 3/10. Способ усиления мощности СВЧ колебаний / В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов (СССР). - № 3491447/24-09; Заявлено 14.09.82.; Опубл. 07.05.85.; Приоритет от 14.09.82., Бюл. № 17.
• 1985
  • Авторское свидетельство 1319232 СССР, МКИ H 03 B 7/14. Генератор второй гармоники / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, В.А. Иванченко, С.Г. Калинин (СССР). - № 3881843/24-09; Заявлено 08.04.85.; Опубл. 23.06.87.; Приоритет от 08.04. 85., Бюл. № 23.
• 1991
  • атент 2019902 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Cвеpхвыcокочаcтотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов, С.Г. Калинин (РФ). - № 4948294/21; Заявлено 26.06.91.; Опубл. 15.09.94.; Приоритет от 26.06.91., Бюл. № 17.
• 1997
  • Патент 2081482 РФ, МКИ H 01 P 5/107. Волноводно-копланарный переход / А.И. Михайлов, C.А. Cеpгеев (РФ). - № 94022119/09; Заявлено 16.06.94.; Опубл. 10.06.97.; Приоритет от 16.06.94., Бюл. № 16.
• 1996
  • Свидетельство на полезную модель 5304 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов (РФ). - № 96117340/20; Заявлено 26.08.96.; Опубл. 16.10.97.; Приоритет от 26.08.96 г., Бюл. № 10.
• 1998
  • Патент 2138116 РФ, МКИ H 03 D 7/00, 7/12, H 01 L 27/095. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). - № 98116381/09; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 20.09.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 26.
• 1998
  • Свидетельство на полезную модель 9351 РФ, МКИ 6 H 03 D 7/00. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). - № 98117279/20; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 16.02.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 2.
• 1999
  • Свидетельство на полезную модель 11942 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, К.А. Разумихин (РФ). - № 99112087/20; Заявлено 08.06.99.; Опубл. 16.11.99.; Приоритет от 08.06.99., Бюл. № 11.
• 2000
  • Свидетельство на полезную модель 16637 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, К.А. Разумихин, Д.М. Лернер (РФ). - № 2000119558/20; Заявлено 31.07.2000.; Опубл. 20.01.2001.; Приоритет от 31.07.2000., Бюл. № 2.
• 2025
  • Патент на полезную модель № 161399. RU 161399 U1. МПК H01L 27/144 (2006.01); H03B 7/00 (2006.01). Микроразмерный генератор с оптическим управлением / А.И. Михайлов, И.О. Кожевников (РФ). Заявка № 2015117765. Приоритет от 13 мая 2015 г. Зарегистрировано в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 31 марта 2016 г. Срок действия патента истекает 13 мая 2025 г. Опубликовано 20.04.16., Бюл. № 11.
• 2026
  • Патент 2855352 Российской Федерации. Узкополосный перестраиваемый СВЧ-фильтр / Рябов Е.А., Андреев А.А., Сергеев С.А., Михайлов А.И. Заявитель и патентообладатель Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" – № 2025125254; заявл. 12.09.2025; опубл. 30.01.2026

• Физические основы твердотельной электроники
• Твердотельная электроника
• Твердотельная электроника и микроэлектроника
• Физика твердотельных параметрических приборов СВЧ
• Современные проблемы электроники
• Современные проблемы твердотельной электроники
• Основы математического моделирования в твердотельной электронике
• Математические модели в естествознании и технике
• Приборы на квантовых эффектах: технология и материалы